안녕하세요 HF PLASMA에 대해 공부하고 있는 직장인입니다.
다름이 아니라 대부분의 논문에서는 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER 증가에 따라 DEPOSITION RATE올라가는데,
실제 HF PLASMA 실험을 해보면, POWF 증가에 따라 DEPOSITION RATE가 내려가는 경향성을 보였습니다. (굴절율은 올라가는 경향성)
혹시 원리에 대해 설명해주실 수 있을까요?
안녕하세요 HF PLASMA에 대해 공부하고 있는 직장인입니다.
다름이 아니라 대부분의 논문에서는 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER 증가에 따라 DEPOSITION RATE올라가는데,
실제 HF PLASMA 실험을 해보면, POWF 증가에 따라 DEPOSITION RATE가 내려가는 경향성을 보였습니다. (굴절율은 올라가는 경향성)
혹시 원리에 대해 설명해주실 수 있을까요?
먼저 이렇게 생각해 보세요. (괄호속의 주제어들도 추적해 보세요)
1. 플라즈마 분위기에서 박막 물질들은 어떻게 만들어 지나? (rate constant)
2. 박막 물질이 생성되는데 필요한 플라즈마 성질들은 장비 의존적인가? (플라즈마 가열 및 global model 과 플라즈마 특성 변동)
3. 따라서 장비구조와 플라즈마 생성 방식에 따라서 박막의 질은 다를 수 있겠는가? (표면 반응)
4. 본 게시판에서는 '장비 플라즈마'라 표현하기도 하니, 플라즈마와 장비 플라즈마의 차이점도 공부해 보세요. 장비 플라즈마는 공정 관점에서 플라즈마의 특성을 보는 관점을 제시합니다. (장비플라즈마)
아마도, 교과서 (논문)의 일반적 플라즈마에서의 박막형성과 특화된 조건의 '장비 플라즈마'에서의 공정 특성의 차이이나, 플라즈마-박막 기전의 차이는 없을 같습니다.