안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77227
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68903
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92951
164 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 418
163 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 425
162 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 431
161 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 432
160 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 479
159 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 513
158 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 554
157 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 574
156 PECVD Uniformity [1] 600
155 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 607
154 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 618
153 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 630
152 RF Sputtering Target Issue [2] file 637
151 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 640
150 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 643
149 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 676
148 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 686
147 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 700
146 Polymer Temp Etch [1] 712
145 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 716

Boards


XE Login