Etch 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.

2017.09.09 21:02

Hygoo 조회 수:1177

안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.

몇가지 질문 드리려 가입했습니다.

1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)

2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.

답변 달아주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78473
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57867
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69399
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93944
152 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 717
151 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 721
150 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 732
149 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 738
148 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 752
147 ICP 후 변색 질문 772
146 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 789
145 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 794
144 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 795
143 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 796
142 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 802
141 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다. [플라즈마 확산 시간 및 표면 반응 시간 유지] [2] 814
140 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 892
139 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 965
138 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 973
137 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 986
136 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 992
135 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1120
134 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1146
133 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어] [1] 1163
쓰기
태그

Boards

XE Login