안녕하세요. 반도체 장비업체에서 근무하는 권보경입니다.


icp descum 장비에서 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상이 발생합니다.

Etch Rate이 감소하는 것은 있을 수 있는 일이지만 50% 이하로 나빠진 상태입니다.

어떤 변수들이 있을 수 있는지, 하드웨어 적으로는 어떤 점을 개선해야 하는지 궁금합니다.


또한 다른 site에 있는 동일 장비에서는 같은 조건에서 Er이 크게 떨어지지 않는데

source power의 차이로 인한 열전달효율이 크게 다르기 때문이라고 볼 수 있는지요.

맞다면 이에 해당하는 공식이 무엇인지 알고 싶습니다.


답변 해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2296
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12779
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49613
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61086
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 78358
103 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 904
102 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 904
101 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 964
100 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1011
99 Ar plasma power/time [1] 1123
» wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1128
97 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1165
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1183
95 etching에 관한 질문입니다. [1] 1257
94 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1289
93 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1340
92 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1344
91 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1394
90 터보펌프 에러관련 [1] 1412
89 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1425
88 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1662
87 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 1810
86 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1832
85 Plasma etcher particle 원인 [1] 1855
84 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 1907

Boards


XE Login