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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61640
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84 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2025
83 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2117
82 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2208
81 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2310
80 PR wafer seasoning [1] 2344
79 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2401
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2556
77 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2563
76 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 2635
75 플라즈마 색 관찰 [1] 2682
74 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2687
73 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 2881
72 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3240
71 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3336
70 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3500
69 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3652
68 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4724
67 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 4822
66 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 5554
65 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 5592

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