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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[160]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 1669 |
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다.
[1] | 1752 |
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etching에 관한 질문입니다.
[1] | 1775 |
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93 |
Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 1994 |
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92 |
sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
[1] | 2043 |
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1] | 2107 |
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90 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 2156 |
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89 |
RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2254 |
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88 |
Ta deposition시 DC Source Sputtreing
| 2293 |
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87 |
Plasma etcher particle 원인
[1] | 2330 |
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86 |
산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1] | 2487 |
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85 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2505 |
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84 |
PR wafer seasoning
[1] | 2519 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 2608 |
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82 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 2798 |
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81 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 2815 |
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80 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다.
[2] | 3005 |
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79 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3066 |
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78 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
[1] | 3169 |
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77 |
DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
[2] | 3230 |
