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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[88]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1] | 2025 |
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ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다.
[2] | 2117 |
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2208 |
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81 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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80 |
PR wafer seasoning
[1] | 2344 |
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M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 2401 |
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78 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
[1] | 2556 |
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77 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 2563 |
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76 |
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 2635 |
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75 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 2682 |
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74 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 2687 |
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73 |
DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
[2] | 2881 |
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72 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 3240 |
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71 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3336 |
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70 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
[1] | 3500 |
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69 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1]  | 3652 |
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68 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 4724 |
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67 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 4822 |
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66 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
| 5554 |
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65 |
O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
[1] | 5592 |
