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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63756
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87 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 1911
86 Plasma etcher particle 원인 [1] 2031
85 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2052
84 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2308
83 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2401
82 PR wafer seasoning [1] 2403
81 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2403
80 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2415
79 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2560
78 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2642
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 2709
76 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2805
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74 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 2969
73 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 3139
72 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3389
71 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3477
70 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 3660
69 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3868
68 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4854
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