Sputtering 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사]

2012.04.01 11:51

처리 조회 수:10708

ICP chamber 방식이며 Generator는 13.56MHz, 1.5kw두개를 사용할경우

matcher제작 or 분석을 하려는데 국내, 일본 회사에서는 불가능 할것 같다고 합니다.

미국의 AE, MKS를 제외하고 RF matcher나 Generator 방면에서 기술력을 갖고 있는

회사가 있을까요?

혹시 알고 계신곳이 있으면 가르쳐 주시면 감사하겠습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [333] 103309
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24714
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61522
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73517
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105944
114 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2072
113 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2111
112 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2208
111 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2253
110 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2282
109 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2322
108 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2409
107 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2472
106 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2537
105 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2610
104 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2704
103 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2706
102 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2718
101 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2744
100 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2785
99 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2812
98 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2816
97 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2910
96 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2917
95 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2941
쓰기
태그

Boards

XE Login