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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[303]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1] | 2612 |
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[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2651 |
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90 |
RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2734 |
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PR wafer seasoning
[1] | 2740 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2985 |
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[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 3029 |
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85 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 3111 |
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 3120 |
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83 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 3161 |
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82 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 3236 |
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81 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1] | 3491 |
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80 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3681 |
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ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다.
[2] | 3764 |
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78 |
DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문
[2] | 3909 |
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77 |
Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 4015 |
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76 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다.
[1] | 4148 |
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75 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문
[1] | 4219 |
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74 |
Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4416 |
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73 |
플라즈마 색 관찰
[1] | 4455 |
