Others Full Face Erosion 관련 질문

2008.12.16 08:24

이태성 조회 수:19638 추천:193

안녕하세요.
Full face erosion 관련 자료를 찾던 중 이곳까지 오게되었습니다. 인터넷검색으로는 자료를 찾을수가 없어서
이렇게 글을 올립니다.

high deposition rate가능, long time process가능, 간단한 process control
등의 장점은 대충 알고 있으나, 어떠한 구조인지, 어떠한 원리로 위의 장점들이 가능한지,
단점은 무엇인지, 기존 sputter와 차이점 등등 FFE에 대한 자세한 내용을 알고싶습니다.

답변해 주시면 정말 많은 도움이 될 것같습니다.
자료를 올려주셔도 괜찮습니다 ^^;;;
사회초년생으로서 배울것이 너무 많은것 같네요.
염치없지만 부탁드립니다 ㅠ.ㅠ      

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102754
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24678
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61392
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73462
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105799
94 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3002
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
92 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3143
91 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3203
90 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3214
89 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3227
88 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3388
87 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3547
86 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3590
85 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3732
84 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3835
83 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4201
82 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4214
81 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4242
80 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4251
79 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4337
78 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
77 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4555
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4787
75 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4901
쓰기
태그

Boards

XE Login