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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
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플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호]
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DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
[1] | 5851 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
[1] | 6102 |
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모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage]
[1] | 6702 |
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안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리]
[2] | 6733 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
[1]  | 6734 |
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]
[4] | 6824 |
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O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
[1] | 6862 |
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플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의]
[1] | 7920 |
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power]
[1] | 7952 |
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고온 플라즈마 관련
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플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도]
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Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering]
[1] | 8951 |
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공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용
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에칭후 particle에서 발생하는 현상
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미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사]
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N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정]
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ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution]
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