안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.

4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.

이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.

PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..

어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102952
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61443
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73484
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105852
154 플라즈마 응용분야 17977
153 교육 기관 문의 17842
152 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. 17295
151 ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma] 17104
150 플라즈마 처리 [표면처리와 Plasma Chemistry] 17052
149 sputter 16983
148 nodule의 형성원인 16920
147 몇가지 질문있습니다 16646
146 Ar traction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [Chamber wall과 radical reaction] [1] 16115
145 Sputter 16109
144 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] 15870
143 박막 형성 [ICP와 MOCVD] 15387
142 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 15185
141 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 14911
140 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13086
139 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 12473
138 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사] [1] 10702
137 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9838
136 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9339
135 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 9051

Boards


XE Login