안녕하세요.

 

RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.

 

미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102975
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61450
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73488
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105861
134 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도] [1] 8372
133 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power] [1] 8279
132 고온 플라즈마 관련 8160
131 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의] [1] 7963
130 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport] [1] file 7013
» RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정] [4] 6984
128 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6950
127 안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리] [2] 6776
126 플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage] [1] 6752
125 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6466
124 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성] [1] 6274
123 DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"] [1] 5942
122 플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호] [1] 4983
121 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4928
120 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4916
119 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4791
118 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4558
117 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
116 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4351
115 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4263

Boards


XE Login