|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[338]
| 219184 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 63555 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 100541 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 112611 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 188431 |
|
94 |
ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다.
[1] | 4423 |
|
93 |
Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 4312 |
|
92 |
DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 4301 |
|
91 |
PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 4300 |
|
90 |
CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information]
[1] | 4292 |
|
89 |
압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 4238 |
|
88 |
Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R]
[1] | 4155 |
|
87 |
III-V 반도체 에칭 공정 문의
[1] | 4152 |
|
86 |
Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 4134 |
|
85 |
Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 4129 |
|
84 |
etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 4091 |
|
83 |
HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant]
[1] | 4004 |
|
82 |
식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 3997 |
|
81 |
Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리]
[1] | 3922 |
|
80 |
부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극]
[1] | 3904 |
|
79 |
Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과]
[1] | 3886 |
|
78 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 3852 |
|
77 |
center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge]
[1] | 3814 |
|
76 |
RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 3801 |
|
75 |
텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응]
[1] | 3769 |
