안녕하세요

반도체쪽에서 일하는 직장인 입니다.

다름이 아니라 CVD공정 양산 설비 Depo시 간헐적으로  Plasma On시 초기 2초간 Reflect가 발생하더라구요...

이와 관련하여 해당 Chamber Issue로는  Plasma On시 Load 값 Issue가 있어 Matcher교체 하였구요. 

이 후 동일 문제로 RF Filter 교체 하였고 접지Cable Resetting 하였고 Heater 교체도 하였습니다.

이 후에 초기 Reflect가 발생 하였다는 것을 알게 되어 초기 Reflect 관련 문제를 해결하려고 하는데

아직 정확한 원인을 찾지 못하여 이렇게 많은 분들께 조언 구합니다.

실제 Fab에서 양산 설비이기 때문에 Gas 유량, 압력, 동축 Cable 길이 등은 다른 양산 설비와 동일 하구요. (실제 확인도 하였습니다.)

Generator에서 인가되는 Power도 문제 없는 것을 확인하였습니다.

추가로 어떤 부분을 확인하면 도움이 될 지 많은 분들의 조언 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4941
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16313
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51255
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63778
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83585
47 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1174
46 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1089
» Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1057
44 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1037
43 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1031
42 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1022
41 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1010
40 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 977
39 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 957
38 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 939
37 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 844
36 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 833
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 831
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 807
33 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 800
32 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 792
31 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 754
30 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 725
29 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 634
28 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 624

Boards


XE Login