안녕하세요~.

저는 KIST에서 고분자 나노패턴을 연구하고 있는 손정곤 입니다.

RIE를 사용하면서 항상 블랙박스와 같이 루틴하게만 에칭을 위해 사용하고는 했는데, 궁금한 점이 있어 질문 드리게 되었습니다.

RIE 시에 형성되는 플라즈마로 인하여, 일반적인 substrate에는 

1. 플라즈마로 인한 E-field가 걸리는 곳에 이온화된 기체 원자가 직접 부딪히며 생기는 효과와

2. reactive한 radical 형태의 중성 입자가 날라와서 반응하는 효과,

2. 플라즈마로 인하여 형성되는 빛, 그러니까 plasma UV/vacuum UV (VUV) photoemissions로 생기는 효과

세 가지가 동시에 영향을 미칠 것으로 생각됩니다. 

이 경우에, 3번의 형성되는 빛으로 인한 효과는 막으면서 1,2 번의 ion과 radical의 효과만 얻는 방법이 있을 지 궁금합니다.

개인적인 생각은 grating mask(complementary filter?)를 교차로 설치하여 빛의 투과는 막으며 이온과 라디칼은 흘러가서 샘플을 때리게 하고 싶은데, 

그렇다면 이 샘플위에 부양시켜 설치하려는 grating mask는 부도체여야 하는지 도체여야 하는지, 도체라면 아래의 RF 전극과 연결되어야 하는지, 아니면 grounding이 되어야 하는 지 등등이 궁금합니다. 

grating mask가 도체면 RIE의 geometry가 변형되어 e-field 등이 변하고 ion의 움직임도 변할 것 같아 질문드립니다.

여기에서 많은 것들을 배워갑니다. 감사드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4905
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16237
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63752
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83532
47 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1164
46 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1082
45 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1054
44 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1029
43 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1016
42 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1006
41 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1001
40 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 973
39 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 955
38 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 936
37 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 835
36 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 832
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 822
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 800
33 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 799
32 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 785
31 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 747
30 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 722
29 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 632
» RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 622

Boards


XE Login