Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:955

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

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