Others Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다.

2020.06.08 18:29

튠업 조회 수:720

안녕하십니까 교수님


공정 실습 중 Dechucking 이슈에 대해 궁금증이 있어 이렇게 글을 남깁니다.

제가 확인한 이슈는 dechucking 이후 핀업 진행 시 웨이퍼가 슬라이딩 하는 문제였는데, 해당 이슈에 대해 config값을 (0->5)변경하여 He flow가 되도록 조치했다는 것을 알았습니다.

chucking 과정중 He의 역할이 온도를 낮추는 역할 정도로 알고 있는데, He 가스가 chucking에서 어떤 역할들을 하는지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [112] 4890
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16230
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63749
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83517
47 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1162
46 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1080
45 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1054
44 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1029
43 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1016
42 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1005
41 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1000
40 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 973
39 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 955
38 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 935
37 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 835
36 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 832
35 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 821
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 800
33 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 799
32 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 785
31 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 747
» Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 720
29 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 632
28 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 622
쓰기
태그

Boards

XE Login