안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76700
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20156
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68681
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92221
82 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1982
81 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1981
80 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1976
79 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1927
78 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1841
77 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1840
76 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1788
75 터보펌프 에러관련 [1] 1753
74 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1719
73 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1658
72 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1490
71 Ar plasma power/time [1] 1435
70 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1419
69 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1407
68 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1383
67 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1374
66 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1361
» 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1303
64 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1289
63 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1240

Boards


XE Login