Deposition 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다.

2019.05.22 16:11

Beatrice 조회 수:622

안녕하세요. 반도체 회사에 근무중인 회사원 입니다.


다름이 아니고 PECVD로 박막 증착 시 Radical들의 움직임에 관해 궁금한 점이 있어서 글을 올립니다.


Radical이 Wafer위에서 migration후 반응하여 island를 만들고 그 섬들이 성장하여 박막을 형성하는 것으로 알고 있는데


Radical이 가지는 에너지, 기판의 온도, 기판을 이루는 물질과의 결합에너지 등을 통해 Radical이 기판위에서


평균적으로 얼마나 움직이는지, 어느 위치를 안정적인 site로 인식하고 반응하는지 등을 알 수 있을까요?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] 75746
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19430
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56656
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67984
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90187
34 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 663
33 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 651
32 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 643
31 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 630
» 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 622
29 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 603
28 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 557
27 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 554
26 Polymer Temp Etch [1] 548
25 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 507
24 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 502
23 RF Sputtering Target Issue [2] file 467
22 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 465
21 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 461
20 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 436
19 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 404
18 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 389
17 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 374
16 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 354
15 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 306
쓰기
태그

Boards

XE Login