안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [330] 101881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24461
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61121
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73153
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105317
194 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] 43924
193 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] 35281
192 PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] 33008
191 RF에 대하여... 32555
190 DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포] [5] 32020
189 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31902
188 [Sputter Forward,Reflect Power] [Sputter와 matching] [1] 31618
187 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30537
186 PECVD에서 플라즈마 demage가 발생 조건 [쉬스와 플라즈마 밀도에 의한 damage] 30070
185 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 30012
184 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 25165
183 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25127
182 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24416
181 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24416
180 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate] [2] 24169
179 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스] [1] 23215
178 Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술] [1] 22795
177 질문있습니다 교수님 [Deposition] [1] 22700
176 플라즈마 코팅 관하여 [PECVD와 화학물 코팅] 22203
175 펄스바이어스 스퍼터링 답변 22072

Boards


XE Login