안녕하세요. 이제 막 반도체 수업을 듣기시작한 학생입니다. 한 질문에 궁금증이 생겨 질문 남기게 되었습니다.

4인치 웨이퍼 기준 100nm 두께로 구리 등 금속 박막을 대량으로 하려면 어떻게 해야될까 인 부분이었습니다.

이때 제 생각으로는 CVD공정이 가장 적합한것이 아닌가? 라고 생각하면서도 각 공정마다 장단점이 있어 헷갈립니다.

PVD의 경우 증착속도가 느리고, ALD의 경우 낮은생산 성 등..

어떠한 공정이 가장 적합한 공정이 될 수 있는지 궁금합니다 감사합니다

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