Deposition PECVD Uniformity
2023.11.07 09:14
PECVD를 이용하여 SiO2를 증착할경우 중심부가 더 증착이 많이되거나 Uniformity가 좋지 않은 것으로 알고있습니다.
이를 해결하기위한 방한이 생각보다 잘 나오지 않아서 이렇게 질문드립니다.
제 생각에는
1. 전극과 기판사이의 거리를 멀게하여 wafer상의 plasma 균일도 높이기
2. N2와 같은 비활성 기체를 함께 주입하여 precursor를 희석 및 분산시켜 uniformity 높이기
3. 그냥 장착한 뒤, over etch진행하기하기
이러한 방법은 가능한 방법들일까요??
다른 방법엔 어떤것들이 있는지 알려주시면 정말 감사하겠습니다
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76820 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20247 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57191 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68739 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92578 |
163 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21585 |
162 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20909 |
161 | plasma cleanning에 관하여.... | 20839 |
160 | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20481 |
159 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20429 |
158 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20205 |
157 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19713 |
156 | DC SPT 문의 | 19680 |
155 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19640 |
154 | 플라즈마를 이용한 박막처리 | 19479 |
153 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19461 |
152 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19422 |
151 | 플라즈마의 환경이용 | 18762 |
150 | 물리적인 sputterting | 18368 |
149 | sputtering | 18297 |
148 | 증착에 대하여... | 18103 |
147 | Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요? | 18043 |
146 | Plasma of Bio-Medical Application | 18007 |
145 | 플라즈마 응용분야 | 17861 |
144 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17789 |