안녕하세요?

플라즈마를 공부하고 있는 학생입니다. 질문이 있어서 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

일반적으로 논문등을 살펴보게 되면 Ar fraction이 (예를들어 Ar(Cl2+Ar 혼합가스) 증가할 수록, Te(Electron Temperature)

값이 증가하는 경향이 나옵니다. (Ion Density 역시 증가합니다.)

실험을 하던 도중. Ar fraction이 증가할수록, Te값이 떨어지는 현상을 발견하였습니다.(하지만 Ion Density는 증가)

이를 어떻게 해석되어야 하는지 잘 모르겠습니다.

일반적으로라면 Ar이 이온화되면서 많은 gas reaction을 야기 하겠으나,

정형화된 data에 대하여 반대의 경향성이 나온 경우 어떻게 해석되어야 할까요?

 

추가적인 실험환경에 대한 설명을 덧붙여 드리자면,

(기존의 Chamber wall은 퀄츠 재질로 Ar fraction에 대하여 Te는 증가하였습니다. 하지만 Chamber를 Al 재질로 바꾼후

위와 같은현상이 발견되었습니다.)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102966
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61448
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73484
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105859
154 플라즈마 응용분야 17977
153 교육 기관 문의 17842
152 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. 17295
151 ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma] 17104
150 플라즈마 처리 [표면처리와 Plasma Chemistry] 17052
149 sputter 16983
148 nodule의 형성원인 16920
147 몇가지 질문있습니다 16646
» Ar traction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [Chamber wall과 radical reaction] [1] 16115
145 Sputter 16109
144 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] 15870
143 박막 형성 [ICP와 MOCVD] 15387
142 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 15185
141 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 14911
140 ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution] [3] 13086
139 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정] [1] 12473
138 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사] [1] 10703
137 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9839
136 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 9339
135 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering] [1] 9051

Boards


XE Login