안녕하십니까?

 

DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.

 

공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.

 

확인부탁드립니다.

 

감사합니다. 수고십시오.

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