번호 제목 조회 수
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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71042
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98081
114 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3926
113 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3803
112 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3488
111 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3480
110 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3383
109 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3329
108 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3252
107 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3117
106 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3065
105 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2939
104 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2917
103 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2820
102 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2713
101 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2706
100 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2685
99 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2665
98 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2611
97 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2562
96 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2548
95 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2516

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