Others Plasma 에칭 후 정전기 처리

2016.03.09 10:42

신나는ye 조회 수:3065

안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.

남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.

지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.

자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.


1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.

2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.

3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77000
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20343
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57266
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68810
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92809
104 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3354
103 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3175
» Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3065
101 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3027
100 Plasma etcher particle 원인 [1] 3025
99 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2925
98 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2896
97 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2851
96 PR wafer seasoning [1] 2707
95 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2678
94 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
93 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2526
92 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2370
91 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2363
90 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2352
89 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2351
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2335
87 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2304
86 etching에 관한 질문입니다. [1] 2280
85 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2112

Boards


XE Login