안녕하십니까?

진공관련 터보펌브 관련 질문을 드리려 합니다.

고진공 펌프인 터보펌프에 대기압 상태의 가스입자 즉 아보가드로 넘버 숫자의 입자가 주입이 될 경우

터보펌프에 어떤 무리가 오게 되는지 궁금합니다.

제가 예상하건데...터보펌프 블레이드가 녹아버리거나, 추즉합니다.

 

터보펌프에 에러가 발생을 해서요...따로 인터락은 작동하지 않은것으로 파악됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102928
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61435
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73481
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105844
114 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4243
113 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4217
112 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4204
111 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3840
110 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3734
109 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3594
108 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3547
107 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3388
106 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3229
105 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3215
104 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3205
103 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3154
102 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
101 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3011
100 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2927
99 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2907
98 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2904
97 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2813
96 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2802
95 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2778

Boards


XE Login