Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3354

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77000
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20343
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57265
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68809
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92809
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3354
103 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3175
102 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3065
101 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3027
100 Plasma etcher particle 원인 [1] 3025
99 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2925
98 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2896
97 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2851
96 PR wafer seasoning [1] 2707
95 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2678
94 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
93 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2526
92 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2370
91 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2363
90 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2352
89 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2351
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2335
87 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2304
86 etching에 관한 질문입니다. [1] 2280
85 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2112

Boards


XE Login