안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77260
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20473
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57383
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68910
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92959
105 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3392
104 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3203
103 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3074
102 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3073
101 Plasma etcher particle 원인 [1] 3066
100 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2948
99 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2912
98 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2904
97 PR wafer seasoning [1] 2716
96 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2701
95 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2599
94 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2574
93 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2394
92 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2383
91 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2365
90 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2361
89 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2357
88 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2339
87 etching에 관한 질문입니다. [1] 2302
» Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2166

Boards


XE Login