Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing
2022.11.19 05:11
안녕하세요
현재 반도체관련 회사에 재직중입니다.
다름아니라 Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데
RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?
아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요?
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73072 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17638 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55521 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65720 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86086 |
| 76 | Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] | 2813 |
| 75 | M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] | 2795 |
| 74 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2608 |
| 73 | PR wafer seasoning [1] | 2517 |
| 72 | HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] | 2505 |
| 71 | 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] | 2485 |
| 70 | Plasma etcher particle 원인 [1] | 2320 |
| » | Ta deposition시 DC Source Sputtreing | 2289 |
| 68 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2253 |
| 67 | Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] | 2152 |
| 66 | PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] | 2099 |
| 65 | sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] | 2043 |
| 64 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 1991 |
| 63 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 1773 |
| 62 | 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] | 1749 |
| 61 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 1666 |
| 60 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 1659 |
| 59 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 1568 |
| 58 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1563 |
| 57 | RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] | 1555 |