아래 그림과 같이 SiN위에 poly 식각을 하려 합니다.

poly 주변에는 산화막이 형성되어있는 상태입니다.

바닥 poly의 damage는 줄이면서 상단 poly만 제거하고 싶은데

효과적인 방법이 있을까요? 조언 부탁드립니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78473
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57867
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69400
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93945
92 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2372
91 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2230
90 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2138
89 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2118
88 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2115
87 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2106
86 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 1984
85 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1932
84 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 1892
83 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 1828
82 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 1827
81 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 1792
80 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 1664
79 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1572
78 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극] [1] 1514
77 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1511
76 Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과] [1] 1500
75 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1486
» poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1474
73 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1392

Boards


XE Login