안녕하세요.

저는 RF를 전공하고, 현재 RF 소자 시뮬레이션 관련 일을 하고 있는 강경석이라고 합니다.


기존에는 안테나나 필터와 같은 RF수동소자에 대해서 해석을 주로 진행하였습니다만, 반도체 공정 장비에 대한 해석업무를 하게 되었습니다. 

그래서 공정 장비에 RF 해석을 어떤 부분에서 접목 가능할까부터 시작하였고, 스터디 결과, 플라즈마를 이용한 ICP, CCP, Ion implantation에 접목 시킬 수 있겠다 라는 결론이 도출 된 상태입니다.

그래서 ICP, CCP, Ion implant 관련하여 스터디 하는 도중에 막히는 부분이 생겨서 이렇게 질문드립니다.


제가 공부한 바로는 플라즈마를 발생시킬 때 가스에 인가하는 에너지 타입에 따라서 ICP, CCP로 나뉜다고 이해 하였습니다.

그리고 Ion implant는 Ion을 주입하여서 반도체 wafer에 어떤 극성을 갖게 만드는 것이라고 이해하였구요,


여기서 질문은 그럼 ICP, CCP 장치에서 발생시킨 플라즈마를 가지고 Ion Implant 공정에 활용 하는 것인가요?

1. ICP. CCP에서 발생시킨 플라즈마에서 양이온만을 골라내서 Ion implant 공정에 활용하는것인지 궁금합니다.

2. 양이온만 골라내고, 나머지 전자는 어떻게 처리하는지 궁금합니다.


제가 전공이 이쪽이 아니라서, 질문이 너무 애매모호 합니다..ㅠ 질문도 많은것을 알고 있어야 정확하게 질문할 수 있는데, 제가 배경지식이 너무 부족하다보니 질문이 애매하네요, 바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [128] 5597
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16873
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51346
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64205
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84185
52 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1239
51 Ar plasma power/time [1] 1220
50 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1189
49 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 1165
48 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1155
47 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1118
46 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1097
45 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1096
44 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 1078
43 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1014
42 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1014
41 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 993
40 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 973
39 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 887
38 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 885
» ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 878
36 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 870
35 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 855
34 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 813
33 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 811

Boards


XE Login