안녕하세요 교수님~

현재 연구실에서 플라즈마 에칭 장비에 대해 공부하고 있는 학생입니다.

다름이 아니라 이제까지 소형 챔버에서 에칭 실험을 진행하다가 대형 챔버로 바꾸어 실험하면서 궁금한 점이 생겨 질문드립니다.

1. 같은 압력에서 (예: 10mTorr) 유량 (sccm)만 바꿔가며 실험하고 있는데 이것이 어떤 관계가 있는지 궁금합니다.

2. 소형챔버에서 발견한 유량을 대형챔버로 그대로 옮겨버리면 residence time이 확줄어서 더 많은 sccm을 넣어야한다는데 

   PV/유량 = residence time 이라는 식에서 바라본다면 V가 증가하여 오히려 증가하는거 아닌가 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76408
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19992
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91339
79 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 1921
78 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1890
» 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1831
76 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1807
75 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1802
74 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1732
73 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1729
72 터보펌프 에러관련 [1] 1722
71 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1670
70 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1610
69 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1435
68 Ar plasma power/time [1] 1414
67 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1404
66 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1385
65 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1322
64 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1315
63 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1274
62 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1228
61 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1217
60 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1205

Boards


XE Login