안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.




번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [256] 76424
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19992
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57066
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68542
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91340
59 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1159
58 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1143
57 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1130
56 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1123
55 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 1110
» Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1091
53 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1064
52 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1054
51 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1052
50 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1048
49 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1027
48 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 989
47 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 914
46 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 911
45 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 857
44 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 836
43 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 830
42 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 823
41 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 731
40 ICP 후 변색 질문 712

Boards


XE Login