Others ICP 후 변색 질문

2018.01.23 19:11

Wafer 조회 수:928

안녕하십니까.

현재 반도체 회사에서 근무하고 있습니다.

ICP 공정 중 일어나는 Sapphire wafer (Al2O3) 변색 관련 질문 드립니다.

BCl3 gas를 이용한  ICP 진행 중 간간히 wafer가 옅은 노란색을 띄는 황변이 발생하고 있고.

황변 발생 wafer는 재열처리로 황변을 제거 하고 있습니다. (가끔 황변이 제거 안되는 경우도 있습니다.)

이와 관련.  

1. Oxygen의 숫자 부족

2. Al3 + vacancy 과도의 이유로 추정하고 있습니다.

Ingot 자체의 물성(?)이 원인이라고 파악하고 있는데.

혹시, ICP 진행 중 어떠한 화학반응에 의해 황변이 발생할 가능성이 있는지요.

어떠한 내용이라도 좋습니다.

위 황변 내용과 관련하여 다른 의견이나 지식을 얻고 싶습니다.

ICP 진행 중 wafer 황변 발생의 원인과 그에 따른 해결 방안 혹은 점검 내용이 있다면 알려주시길 부탁드립니다.


이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 109738
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 27144
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 64294
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 76072
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 110105
54 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1341
53 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [Plasma heat와 dissociation] [1] 1304
52 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1262
51 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 1224
50 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 1201
49 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 1196
48 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1154
47 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1134
46 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다. [플라즈마 확산 시간 및 표면 반응 시간 유지] [2] 1133
45 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [단위 Chamber의 PM 이력] [1] 1085
44 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 1071
43 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 1069
42 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 1067
41 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 1040
40 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 1023
39 기판표면 번개모양 불량발생 [Plasma charging] [1] 1019
38 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide] [2] 985
37 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다. [플라즈마 소스 변경] [1] 973
36 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 947
» ICP 후 변색 질문 928
쓰기
태그

Boards

XE Login