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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다.
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제
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터보펌프 에러관련
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화
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RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다.
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etching에 관한 질문입니다.
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DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 1922 |
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Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 881 |
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PR wafer seasoning
[1] | 1229 |
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상
[1] | 586 |
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 816 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
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ICP와 CCP의 차이
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RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 1087 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 1425 |
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 2119 |
