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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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III-V 반도체 에칭 공정 문의
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Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R]
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ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다.
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가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해]
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ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각]
[1] | 351 |
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Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length]
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플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 4948 |
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Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포]
[1] | 434 |
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공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해]
[1] | 616 |
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플라즈마 식각 커스핑 식각량
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플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성]
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Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수]
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center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2
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center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge]
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RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability]
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RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise]
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remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화]
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GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문
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애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing]
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[재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술]
[1] | 1101 |
