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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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[재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스
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메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘
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RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다.
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ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다.
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Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유
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텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량
[1] | 191 |
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Sticking coefficient 관련 질문입니다.
[1] | 509 |
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Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1] | 316 |
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Polymer Temp Etch
[1] | 371 |
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AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제
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플라즈마 샘플 위치 헷갈림
[1] | 509 |
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etch defect 관련 질문드립니다
[1] | 715 |
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RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소
[1] | 777 |
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doping type에 따른 ER 차이
[1] | 1728 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법
[1] | 952 |
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Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 3773 |
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텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
[1] | 798 |
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[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 1712 |
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O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
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Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계.
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