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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68660
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92075
67 DC Bias Vs Self bias [5] 31517
66 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24169
65 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23752
64 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22757
63 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22538
62 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20416
61 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17399
60 ICP 식각에 대하여... 16912
59 ICP와 CCP의 차이 [3] 12456
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9504
57 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6511
56 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6228
55 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5792
54 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5441
53 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5239
52 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4261
51 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3961
50 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3506
49 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2957
48 Plasma etcher particle 원인 [1] 2951

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