안녕하세요.


RPS를 이용해 NF3와 CF4 Etch Rate 차이를 보고 싶은데..

Infra가 없어 부득이하게 연구 기관을 통해 Test 진행을 하려고 합니다.

근데 RPS에는 NF3 라인만 연결이 되어 있고 CF4의 경우 Chamber로 Direct 들어가게 되어있는데요.

Chamber내 Plasma Power 및 다른 parameter를 조절해 RPS 같이 구현이 가능할까요?

제가 알기로는 Remote와 Direct Plasma는 주파수 자체가 달라서 힘들거 같은데요.


미리 답변 감사합니다.

수고하세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74880
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18735
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56223
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66683
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 87989
56 DC Bias Vs Self bias [5] 31008
55 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23888
54 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23454
53 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22426
52 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22414
51 RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20296
50 ICP 식각에 대하여... 16767
49 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 16238
48 ICP와 CCP의 차이 [3] 11671
47 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9271
» RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 5573
45 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5136
44 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 4659
43 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 4601
42 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 4293
41 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 3808
40 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3770
39 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3138
38 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2661
37 PR wafer seasoning [1] 2552

Boards


XE Login