Etch Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
2018.05.10 13:56
안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78037 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20848 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93633 |
| 54 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 3029 |
| 53 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2943 |
| 52 | PR wafer seasoning [1] | 2740 |
| 51 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2734 |
| 50 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2651 |
| 49 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2452 |
| » | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2406 |
| 47 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2404 |
| 46 | 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] | 2358 |
| 45 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2353 |
| 44 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2275 |
| 43 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2113 |
| 42 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 2091 |
| 41 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2087 |
| 40 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1898 |
| 39 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1815 |
| 38 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
| 37 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
 | 1457 |
| 36 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1448 |
| 35 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1282 |