Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78047 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20850 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57738 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93636 |
54 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 3030 |
53 | HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? | 2944 |
52 | PR wafer seasoning [1] | 2740 |
51 | RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] | 2734 |
50 | [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] | 2651 |
49 | DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] | 2452 |
48 | 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] | 2433 |
47 | Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] | 2406 |
46 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2405 |
45 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2354 |
44 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2275 |
43 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2113 |
42 | 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] | 2091 |
41 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2087 |
40 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1898 |
39 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1815 |
» | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
37 | poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. | 1457 |
36 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1448 |
35 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1282 |