안녕하십니까. 장비사에서 식각 공정 개발 업무를 맡고 있는 김노엘 입니다.

 

공부하던 중, ESC 온도 증가에 따른 Sticking coefficient 관련 궁금한 점이 생겨 질문을 남기게 되었습니다.

 

보통 HAR 구조 식각 시 Sticky한 성질을 갖고 있는 gas가 bottom 으로 들어가지 못하고 top 에 쌓여 식각 profile이 불균일해지는 문제가 있음을 알게 되었습니다. 이에 대한 해결책은 ESC 온도를 증가시키는 것이었고 gas가 덜 Sticky해져 profile이 개선됨을 확인할 수 있었습니다.

 

여기서 궁금한 점이 있습니다.

 

Q) 본래 기체는 온도 증가에 따라 점성이 증가한다고 알고 있습니다. 식각공정의 경우 ESC 온도를 증가시키면 wafer에 열전달이 일어날 것이고 그 열이 기체에 전달된다면 기체의 점성이 증가해 오히려 더욱 sticky 해 질것으로 생각됩니다만, 오히려 ESC 온도 증가에 따라 gas가 덜 sticky해 진다고 하니 이해가 어렵습니다. 제가 잘못 생각한 부분이 있는 거 같은데 정확한 메커니즘에 대해 설명을 듣고 싶습니다.

--------

 

Q) 추가적으로 RF frequency에 따른 ion과 electrom의 거동에 대한 질문이 있습니다. CCP 구조의 식각 chamber의 경우 bias electrode 쪽에 low frequncy(LF)와 high frequncy(HF)의 RF generator를 사용한다고 알고 있습니다. 이때, LF의 용도가 궁금합니다. ion을 더 강하게 당기는 역할을 한다고 알고 있는데,, 각 frequncy에 따른 ion의 움직임을 어떤 plasma theory로 해석해서 생각할 수 있는지 궁금합니다.

 

타 산업에 종사하다 플라즈마를 다루는 공정개발 업무를 하게 되어 어려운 부분이 많습니다. 교수님께서 만들어 주신 본 홈페이지 덕분에 많이 배우고 공부하고 있습니다. 정말 감사합니다.

 

김노엘 드림.

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77200
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20462
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57359
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68898
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
69 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 81
68 플라즈마 식각 커스핑 식각량 59
67 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 231
66 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 86
65 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 291
64 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 430
63 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 849
62 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 343
61 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 312
60 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 675
59 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 264
58 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 418
57 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 686
56 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 302
55 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 381
54 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 642
53 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1099
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 379
» Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1019
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 574

Boards


XE Login