안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.

한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.

현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데

공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.

공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.

이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.

혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.

감사합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [295] 77443
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20549
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57476
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69002
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93063
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 388
51 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1051
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 599
49 Polymer Temp Etch [1] 745
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 527
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 622
46 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1158
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1111
44 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2094
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2231
42 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4003
41 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1475
40 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2980
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1200
38 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1162
37 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2611
36 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2369
» Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1427
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1271
33 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6963

Boards


XE Login