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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance]
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Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity]
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power]
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
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터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력]
[1] | 1845 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2534 |
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자]
[1] | 1265 |
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RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응]
[1] | 906 |
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etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2406 |
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DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
[1] | 5654 |
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Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
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PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2765 |
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3214 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
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ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution]
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