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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2202 |
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 2238 |
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2295 |
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etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2451 |
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Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 2505 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 2525 |
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Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2540 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2588 |
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PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2801 |
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[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 2819 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 2843 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3263 |
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Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3284 |
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3377 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 3816 |
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Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]
[1] | 4119 |
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플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 4329 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포]
[2] | 4543 |
