안녕하세요~.

저는 KIST에서 고분자 나노패턴을 연구하고 있는 손정곤 입니다.

RIE를 사용하면서 항상 블랙박스와 같이 루틴하게만 에칭을 위해 사용하고는 했는데, 궁금한 점이 있어 질문 드리게 되었습니다.

RIE 시에 형성되는 플라즈마로 인하여, 일반적인 substrate에는 

1. 플라즈마로 인한 E-field가 걸리는 곳에 이온화된 기체 원자가 직접 부딪히며 생기는 효과와

2. reactive한 radical 형태의 중성 입자가 날라와서 반응하는 효과,

2. 플라즈마로 인하여 형성되는 빛, 그러니까 plasma UV/vacuum UV (VUV) photoemissions로 생기는 효과

세 가지가 동시에 영향을 미칠 것으로 생각됩니다. 

이 경우에, 3번의 형성되는 빛으로 인한 효과는 막으면서 1,2 번의 ion과 radical의 효과만 얻는 방법이 있을 지 궁금합니다.

개인적인 생각은 grating mask(complementary filter?)를 교차로 설치하여 빛의 투과는 막으며 이온과 라디칼은 흘러가서 샘플을 때리게 하고 싶은데, 

그렇다면 이 샘플위에 부양시켜 설치하려는 grating mask는 부도체여야 하는지 도체여야 하는지, 도체라면 아래의 RF 전극과 연결되어야 하는지, 아니면 grounding이 되어야 하는 지 등등이 궁금합니다. 

grating mask가 도체면 RIE의 geometry가 변형되어 e-field 등이 변하고 ion의 움직임도 변할 것 같아 질문드립니다.

여기에서 많은 것들을 배워갑니다. 감사드립니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102668
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24668
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61377
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73449
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105766
76 플라즈마 식각 커스핑 식각량 226
75 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 338
74 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 431
73 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 459
72 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 476
71 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 483
70 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 551
69 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 564
68 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 584
67 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 592
66 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 606
65 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 611
64 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 613
63 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 622
62 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 629
61 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 634
60 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 643
59 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 723
58 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 761
57 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 875

Boards


XE Login