안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [101] 3659
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15347
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50578
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63000
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82154
47 doping type에 따른 ER 차이 [1] 231
46 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 297
45 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 332
44 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 351
43 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 362
42 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 376
41 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 593
40 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 609
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 702
38 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 753
37 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 768
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 776
35 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 882
» 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 912
33 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 913
32 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1013
31 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1136
30 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1191
29 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1209
28 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1338

Boards


XE Login