Etch Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]

2018.05.10 13:56

박대수 조회 수:2471

안녕하세요. 디스플레이에 종사하는 설비엔지니어입니다.
현재 PE모드 Etch공정에서 Vpp가 평균값 대비 1000V 정도 떨어지는 현상이 있는데요.
NF3 Gas 변경후 챔버 Vent처리했다가 다시 진공상태 공정진행시 Vpp가 떨어집니다.
Power,압력,온도의 차이는 없고, SF6→NF3 Gas변경했는데... Vpp 변동과 어떤 연관성이 있을지 궁금합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79244
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21261
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58063
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69622
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94408
35 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1950
34 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2149
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2171
32 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2248
31 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2406
30 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2440
» Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2471
28 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2486
27 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2536
26 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2762
25 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2765
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2797
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2999
22 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3191
21 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3214
20 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3309
19 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3777
18 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4065
17 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4268
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4494
쓰기
태그

Boards

XE Login