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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
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플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 7976 |
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
[1] | 8164 |
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]
[4] | 8974 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
[1]  | 8975 |
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power]
[1] | 10487 |
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에칭후 particle에서 발생하는 현상
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ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution]
[3] | 15088 |
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ICP 식각에 대하여… [Electronegative plasma]
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RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도
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안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [공정 용법]
[1] | 21526 |
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Dry Etcher 에 대한 교재 [플라즈마 식각 기술]
[1] | 24983 |
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Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제
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Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [플라즈마 및 반응기 임피던스]
[1] | 25524 |
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N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [Cooling과 Etch rate]
[2] | 26275 |
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1 |
DC Bias Vs Self bias [전자 에너지 분포]
[5] | 34187 |
