kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수

2009.11.17 16:06

김곤호 조회 수:61640 추천:217



안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [88] 2566
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 13679
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49691
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61640
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 80271
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 121
46 doping type에 따른 ER 차이 [1] 190
45 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 194
44 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 252
43 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 275
42 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 311
41 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 534
40 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 579
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 627
38 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 707
37 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 709
36 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 722
35 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 752
34 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 824
33 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 880
32 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 939
31 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1069
30 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1154
29 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1179
28 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1239
쓰기
태그

Boards

XE Login