Etch Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]

2019.12.01 17:46

이윤표 조회 수:3746

학부에서 현재 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 학생입니다. 

현재 RIE를 통해 oxide가 깔린 웨이퍼를 dry etching 하는 실험을 진행중에 있습니다. 

실험을 통해 oxide를 rf power 75W, 시간은 1분으로 고정시킨후 CF4가스를 10sccm에서 50sccm으로 증가시키면서 etch rate를 측정한 결과 etch rate가 감소하는 결과가 나왔습니다. 제 생각에는 plasma에 있는 이온이 웨이퍼로 이동하는 과정에서 gas의 밀도가 높아져 scattering이 증가해 physical etch가 감소하고 그로 인해 oxide의 bonding이 덜 깨져 radical에 의한 chemical etching도 감소한 것으로 예상되는데 제 생각이 맞는지 궁금합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 103234
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24701
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61501
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73514
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105927
76 플라즈마 식각 커스핑 식각량 226
75 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 349
74 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 433
73 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 468
72 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 486
71 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 497
70 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 585
69 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 589
68 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 599
67 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 605
66 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 609
65 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 612
64 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [Sheath uniformity 이해] [1] 614
63 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 631
62 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 635
61 Etch Plasma 관련 문의 건.. [RF 주파수와 플라즈마 주파수] [1] 635
60 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 647
59 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 729
58 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 774
57 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 877
쓰기
태그

Boards

XE Login